买卖IC网 >> 产品目录43225 >> ZVNL110GTA MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 datasheet 分离式半导体产品
型号：

ZVNL110GTA

库存数量：可订货
制造商：Diodes Inc
描述：MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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其它图纸 SOT-223
SOT-223 Footprint
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 600mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 75pF @ 25V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装 SOT-223
包装 标准包装
产品目录页面 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 ZVNL110GDKR
相关资料
属性
链接
代理商 ZVNL110GTA
ZVNL110GTC
ZVNL120A
ZVNL120ASTOA
ZVNL120ASTOB
ZVNL120ASTZ
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  • ZVNL110GTA 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价